L'azienda

• Si apre la strada verso schede microSD impossibili da realizzare con le tecnologie esistenti.
• Si mantengono i livelli di performance del processo di fabbricazione a 43nm grazie all'architettura All Bit-Line (ABL) e alle innovazioni SanDisk nel processo a 32nm

San Francisco, 10 febbraio 2009, International Solid State Circuits Conference — SanDisk Corporation (NASDAQ: SNDK) e Toshiba Corporation annunciano lo sviluppo congiunto di una memoria flash NAND MLC (Multi-Level Cell) basata su tecnologia di processo a 32 nanometri (nm) per produrre un chip di memoria da 3 bit per cella (X3) della capacità di 32 gigabit (Gb). Questa rivoluzionaria novità è destinata a portare rapidamente sul mercato tecnologie avanzate in grado di consentire capacità di archiviazione superiori e di ridurre i costi di fabbricazione dei prodotti come le schede di memoria e i dispositivi SSD (Solid State Drive).

“Lo sviluppo della terza generazione della nostra tecnologia da 3 bit per cella basata sul processo da 32nm dopo un anno e mezzo dall'introduzione della prima generazione abbinata al processo da 56nm dimostra il ritmo incredibilmente rapido che oggi è necessario per rimanere un produttore leader”, ha dichiarato Sanjay Mehrotra, co-fondatore e Presidente di SanDisk. “Questo ci permette di proporre capacità superiori con fattori forma di sicuro interesse per il mercato riducendo nel contempo i costi di produzione: tutti elementi che ci aiutano ad arricchire le nostre linee di prodotto. Questa novità tecnologica sottolinea il profondo livello di competenza e di innovazione raggiunto da SanDisk e i conseguenti vantaggi per i consumatori”.

La tecnologia X3 a 32nm: l'ideale per applicazioni microSD
La tecnologia X3 da 32Gb a 32nm ha permesso di produrre il chip di memoria flash NAND più piccolo mai ottenuto finora, comprimendolo a dimensioni tali da poterlo inserire nelle schede di formato microSD tanto diffuse nei telefoni cellulari e in altri dispositivi di elettronica di consumo. Si tratta di una tecnologia che ha portato al chip microSD con la più alta densità del mondo, con una capacità doppia rispetto a un chip microSD fabbricato a 43nm pur occupando un'area simile. I progressi compiuti nelle tecnologie di processo a 32nm e nella progettazione dei circuiti hanno contribuit significativamente alla possibilità di realizzare un chip di 113mm2, mentre l'architettura brevettata SanDisk All-Bit-Line (ABL) è stata fondamentale per mantenere competitive le prestazioni della tecnologia X3 in scrittura.

“L'ingombro ridotto del chip X3 a 32nm e la sua incredibile densità permetteranno di realizzare schede microSD dalle capacità superiori rispetto a quanto oggi è possibile senza questa tecnologia”, ha commentato Yoram Cedar, Executive Vice President, OEM Business Unit and Corporate Engineering di SanDisk. “Il formato microSD ha guadagnato popolarità a causa della crescente richiesta di memoria ad alta capacità per i telefoni cellulari, e X3 ci permetterà di introdurre sul mercato nuovi prodotti decisamente interessanti”.

La base tecnologica SanDisk
Quella a 32nm è la tecnologia di processo per memorie flash più avanzata a oggi, e come tale richiede soluzioni sofisticate per risolvere le sfide legate alla miniaturizzazione. La tecnologia a 32nm combina diverse innovazioni per ridurre l'area del chip più rapidamente di quanto previsto dalla Legge di Moore.

“La tecnologia a 32nm fa leva sul successo di SanDisk nella litografia a immersione nel processo a 43nm per implementare la spaziatura senza dover incorrere in ulteriori investimenti per acquisire onerose apparecchiature fotolitografiche”, ha spiegato Klaus Schuegraf, Vice President, Memory Technology di SanDisk. “SanDisk ha ridotto a 32nm la lunghezza della stringa NAND da 64 bit compensando contemporaneamente gli effetti di interferenza tra i bit con innovazioni negli algoritmi di programmazione e nel design di sistema”.

In occasione dell'edizione 2009 dell'International Solid State Circuits Conference (ISSCC), SanDisk e Toshiba hanno presentato un documento congiunto sulla memoria flash NAND X3 da 32Gb a 32nm evidenziando i progressi tecnici che hanno reso possibile il processo a 32nm. La messa in produzione dei chip X3 da 32Gb a 32nm è prevista per la seconda metà del 2009.

SanDisk
SanDisk Corporation, l'azienda che ha inventato le schede di archiviazione flash, è il maggiore fornitore nonché leader globale nel campo delle memorie flash, dalla ricerca alla produzione, dalla progettazione al branding per il mercato consumer fino alla distribuzione al dettaglio. Il portafoglio di prodotti di SanDisk include schede di memoria flash per telefoni cellulari, fotocamere digitali e videocamere, riproduttori audio/video digitali, unità flash USB per il mercato consumer e aziendale, memorie per dispositivi mobili e unità allo stato solido per computer. SanDisk (www.sandisk.co.it/corporate) è una società inclusa nell'indice S&P 500 con sede nella Silicon Valley, con oltre la metà delle vendite realizzate al di fuori degli Stati Uniti.

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